| dc.contributor.author | Yaşar, Mehmet Murat | |
| dc.contributor.author | ve diğerleri... | |
| dc.date.accessioned | 2025-08-04T06:45:19Z | |
| dc.date.available | 2025-08-04T06:45:19Z | |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.issn | 2147-1630 | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.adiyaman.edu.tr:8080/xmlui/handle/20.500.12414/6555 | |
| dc.description.abstract | In this study, the addition of samarium (Sm) and boron (B) to indium oxide (In2O3) thin films at rates of 5%, 10%, and 20% was investigated, and radiation properties were determined using the Monte Carlo N-Particle (MCNP6.2) simulation program. The reason for choosing In2O3 in the study is that In2O3 has high chemical stability, optical transparency, excellent electrical properties, and semiconductor properties. It is also widely used in various applications, including displays, solar cells, and sensors. Since In2O3 is used in sensors, it is aimed to be investigated for integration into radiation detector systems. At this point, it will provide a new idea. The simulation results obtained were compared with the values in the National Institute of Standards and Technology (NIST-XCOM) database, and it was observed that the simulation gave efficient results. According to the simulation analyses, it was observed that Sm provided better radiation shielding properties than B | tr |
| dc.description.abstract | Bu çalışmada, indiyum oksit (In2O3) ince filmine %5, %10 ve %20 oranlarında samaryum (Sm) ve bor (B) katkılanarak radyasyon özellikleri Monte Carlo N-Particle (MCNP6.2) simülasyon programıyla belirlenmeye çalışılmıştır. Çalışmada In2O3’ün seçilmesinin sebebi; In2O3’ün yüksek kimyasal kararlılığa, optik şeffaflığa, mükemmel elektriksel özelliklere ve yarı iletken özelliklere sahip olmasıdır. Aynı zamanda ekran, güneş pilleri ve sensörler gibi birçok alanda yaygın olarak kullanılmaktadır. In2O3’ün sensörlerde kullanıldığı için radyasyon dedektör sistemlerine entegrasyonu amacıyla araştırılması amaçlanmaktadır. Bu noktada yeni bir fikir sunmuş olacaktır. Elde edilen simülasyon sonuçları Ulusal Standartlar ve Teknoloji Enstitüsü (NIST-XCOM) veri tabanındaki değerlerle karşılaştırılarak yapılan simülasyonun verimli sonuçlar verdiği gözlenmiştir. Simülasyon analizlerine göre Sm’nin B’den daha iyi radyasyon zırhlama özelliği kazandırdığı gözlenmiştir | tr |
| dc.language.iso | en | tr |
| dc.publisher | Adıyaman Üniversitesi | tr |
| dc.subject | Boron | tr |
| dc.subject | Thin film | tr |
| dc.subject | Indium oxide | tr |
| dc.subject | MCNP | tr |
| dc.subject | Radiation | tr |
| dc.subject | Samarium | tr |
| dc.subject | Bor | tr |
| dc.subject | İnce film | tr |
| dc.subject | İndiyum oksit | tr |
| dc.subject | Radyasyon | tr |
| dc.subject | Samaryum | tr |
| dc.title | Determination of Radiation Characteristics of Samarium and Boron Doped Indium Oxide Thin Film by Simulation Method | tr |
| dc.title.alternative | Samaryum ve Bor Katkılı İndiyum Oksit İnce Filmin Radyasyon Karakteristiklerinin Simülasyon Yöntemiyle Belirlenmesi | tr |
| dc.type | Article | tr |
| dc.contributor.authorID | 0000-0001-6211-0350 | tr |
| dc.contributor.department | Harran University, Vocational School of Health Services, Department of Medical Services and Techniques, 63000, Şanlıurfa, Türkiye | tr |
| dc.identifier.endpage | 156 | tr |
| dc.identifier.issue | 1 | tr |
| dc.identifier.startpage | 146 | tr |
| dc.identifier.volume | 15 | tr |
| dc.source.title | Adıyaman Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi | tr |