Adiyaman University Repository

Determination of Radiation Characteristics of Samarium and Boron Doped Indium Oxide Thin Film by Simulation Method

Show simple item record

dc.contributor.author Yaşar, Mehmet Murat
dc.contributor.author ve diğerleri...
dc.date.accessioned 2025-08-04T06:45:19Z
dc.date.available 2025-08-04T06:45:19Z
dc.date.issued 2025
dc.identifier.issn 2147-1630
dc.identifier.uri http://dspace.adiyaman.edu.tr:8080/xmlui/handle/20.500.12414/6555
dc.description.abstract In this study, the addition of samarium (Sm) and boron (B) to indium oxide (In2O3) thin films at rates of 5%, 10%, and 20% was investigated, and radiation properties were determined using the Monte Carlo N-Particle (MCNP6.2) simulation program. The reason for choosing In2O3 in the study is that In2O3 has high chemical stability, optical transparency, excellent electrical properties, and semiconductor properties. It is also widely used in various applications, including displays, solar cells, and sensors. Since In2O3 is used in sensors, it is aimed to be investigated for integration into radiation detector systems. At this point, it will provide a new idea. The simulation results obtained were compared with the values in the National Institute of Standards and Technology (NIST-XCOM) database, and it was observed that the simulation gave efficient results. According to the simulation analyses, it was observed that Sm provided better radiation shielding properties than B tr
dc.description.abstract Bu çalışmada, indiyum oksit (In2O3) ince filmine %5, %10 ve %20 oranlarında samaryum (Sm) ve bor (B) katkılanarak radyasyon özellikleri Monte Carlo N-Particle (MCNP6.2) simülasyon programıyla belirlenmeye çalışılmıştır. Çalışmada In2O3’ün seçilmesinin sebebi; In2O3’ün yüksek kimyasal kararlılığa, optik şeffaflığa, mükemmel elektriksel özelliklere ve yarı iletken özelliklere sahip olmasıdır. Aynı zamanda ekran, güneş pilleri ve sensörler gibi birçok alanda yaygın olarak kullanılmaktadır. In2O3’ün sensörlerde kullanıldığı için radyasyon dedektör sistemlerine entegrasyonu amacıyla araştırılması amaçlanmaktadır. Bu noktada yeni bir fikir sunmuş olacaktır. Elde edilen simülasyon sonuçları Ulusal Standartlar ve Teknoloji Enstitüsü (NIST-XCOM) veri tabanındaki değerlerle karşılaştırılarak yapılan simülasyonun verimli sonuçlar verdiği gözlenmiştir. Simülasyon analizlerine göre Sm’nin B’den daha iyi radyasyon zırhlama özelliği kazandırdığı gözlenmiştir tr
dc.language.iso en tr
dc.publisher Adıyaman Üniversitesi tr
dc.subject Boron tr
dc.subject Thin film tr
dc.subject Indium oxide tr
dc.subject MCNP tr
dc.subject Radiation tr
dc.subject Samarium tr
dc.subject Bor tr
dc.subject İnce film tr
dc.subject İndiyum oksit tr
dc.subject Radyasyon tr
dc.subject Samaryum tr
dc.title Determination of Radiation Characteristics of Samarium and Boron Doped Indium Oxide Thin Film by Simulation Method tr
dc.title.alternative Samaryum ve Bor Katkılı İndiyum Oksit İnce Filmin Radyasyon Karakteristiklerinin Simülasyon Yöntemiyle Belirlenmesi tr
dc.type Article tr
dc.contributor.authorID 0000-0001-6211-0350 tr
dc.contributor.department Harran University, Vocational School of Health Services, Department of Medical Services and Techniques, 63000, Şanlıurfa, Türkiye tr
dc.identifier.endpage 156 tr
dc.identifier.issue 1 tr
dc.identifier.startpage 146 tr
dc.identifier.volume 15 tr
dc.source.title Adıyaman Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi tr


Files in this item

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Search DSpace


Advanced Search

Browse

My Account