In this study, the addition of samarium (Sm) and boron (B) to indium oxide (In2O3) thin
films at rates of 5%, 10%, and 20% was investigated, and radiation properties were determined
using the Monte Carlo N-Particle (MCNP6.2) simulation program. The reason for choosing In2O3
in the study is that In2O3 has high chemical stability, optical transparency, excellent electrical
properties, and semiconductor properties. It is also widely used in various applications, including
displays, solar cells, and sensors. Since In2O3 is used in sensors, it is aimed to be investigated for
integration into radiation detector systems. At this point, it will provide a new idea. The simulation
results obtained were compared with the values in the National Institute of Standards and
Technology (NIST-XCOM) database, and it was observed that the simulation gave efficient
results. According to the simulation analyses, it was observed that Sm provided better radiation
shielding properties than B
Bu çalışmada, indiyum oksit (In2O3) ince filmine %5, %10 ve %20 oranlarında samaryum
(Sm) ve bor (B) katkılanarak radyasyon özellikleri Monte Carlo N-Particle (MCNP6.2)
simülasyon programıyla belirlenmeye çalışılmıştır. Çalışmada In2O3’ün seçilmesinin sebebi;
In2O3’ün yüksek kimyasal kararlılığa, optik şeffaflığa, mükemmel elektriksel özelliklere ve yarı
iletken özelliklere sahip olmasıdır. Aynı zamanda ekran, güneş pilleri ve sensörler gibi birçok
alanda yaygın olarak kullanılmaktadır. In2O3’ün sensörlerde kullanıldığı için radyasyon dedektör
sistemlerine entegrasyonu amacıyla araştırılması amaçlanmaktadır. Bu noktada yeni bir fikir
sunmuş olacaktır. Elde edilen simülasyon sonuçları Ulusal Standartlar ve Teknoloji Enstitüsü
(NIST-XCOM) veri tabanındaki değerlerle karşılaştırılarak yapılan simülasyonun verimli
sonuçlar verdiği gözlenmiştir. Simülasyon analizlerine göre Sm’nin B’den daha iyi radyasyon
zırhlama özelliği kazandırdığı gözlenmiştir
